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PHP110NQ08LT,127

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NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

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PHP110NQ08LT,127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 127.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6631 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DKI03062
DKI03062
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IXFC26N50P
IXFC26N50P
$0 $/Stück
IXTT50P085
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$0 $/Stück
GA05JT01-46
SIA443DJ-T1-E3
IRFZ48Z
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