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PMF63UN,115

PMF63UN,115

PMF63UN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3

PMF63UN,115 Technisches Datenblatt

nicht konform

PMF63UN,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06000 $0.06
500 $0.0594 $29.7
1000 $0.0588 $58.8
1500 $0.0582 $87.3
2000 $0.0576 $115.2
2500 $0.057 $142.5
32725 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 185 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

FCMT199N60
FCMT199N60
$0 $/Stück
BUK7635-55A,118
SIR804DP-T1-GE3
C2M1000170J
C2M1000170J
$0 $/Stück
APT18M100B
STN3N40K3
STN3N40K3
$0 $/Stück
NX7002BKR
NX7002BKR
$0 $/Stück

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