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PMN38EN,165

PMN38EN,165

PMN38EN,165

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP

PMN38EN,165 Technisches Datenblatt

compliant

PMN38EN,165 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 38mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 495 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-74
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

IRF5805
IRF5805
$0 $/Stück
SI1426DH-T1-GE3
IRFBC30STRL
IRFBC30STRL
$0 $/Stück
IRLR7833CPBF
BUZ30A E3045A
NVMFS6B03NLWFT1G
NVMFS6B03NLWFT1G
$0 $/Stück
STF12NM65
STF12NM65
$0 $/Stück
FQA6N80_F109
FQA6N80_F109
$0 $/Stück

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