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PMN45EN,135

PMN45EN,135

PMN45EN,135

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP

PMN45EN,135 Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN45EN,135 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.17000 $0.17
500 $0.1683 $84.15
1000 $0.1666 $166.6
1500 $0.1649 $247.35
2000 $0.1632 $326.4
2500 $0.1615 $403.75
450515 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) 20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 495 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.75W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

SCT2280KEC
SCT2280KEC
$0 $/Stück
FDN028N20
FDN028N20
$0 $/Stück
R6020JNJGTL
SQJ460AEP-T1_BE3
STP80NF10FP
IRF7853TRPBF
DMN3731UFB4-7B
FDB8880

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