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PMV30XN,215

PMV30XN,215

PMV30XN,215

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB

PMV30XN,215 Technisches Datenblatt

nicht konform

PMV30XN,215 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.10000 $0.1
500 $0.099 $49.5
1000 $0.098 $98
1500 $0.097 $145.5
2000 $0.096 $192
2500 $0.095 $237.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 420 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 380mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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