Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 900mA (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.8V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 490mOhm @ 200mA, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 950mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 0.98 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±8V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 65 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN1006B-3 |
| Paket / Koffer | SC-101, SOT-883 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.