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PSMN3R9-60XS127

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PSMN3R9-60XS127

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

nicht konform

PSMN3R9-60XS127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

ZVN4206AVSTOA
SI4324DY-T1-GE3
FCPF600N60ZL1
FCPF600N60ZL1
$0 $/Stück
IRL520S
IRL520S
$0 $/Stück
STP16N50M2
STP16N50M2
$0 $/Stück
IXFV74N20P
IXFV74N20P
$0 $/Stück
NDB6060
NDB6060
$0 $/Stück
IRLL1905TR
IRLL1905TR
$0 $/Stück

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