Welcome to ichome.com!

logo
Heim

2N7002WT1G

2N7002WT1G

2N7002WT1G

onsemi

MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

2N7002WT1G Technisches Datenblatt

compliant

2N7002WT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.04218 -
6,000 $0.03687 -
15,000 $0.03156 -
30,000 $0.02979 -
75,000 $0.02801 -
150,000 $0.02447 -
50 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 310mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 24.5 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 280mW (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323)
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RD3U041AAFRATL
NVMFS4C01NWFT1G
NVMFS4C01NWFT1G
$0 $/Stück
IXTH24N65X2
IXTH24N65X2
$0 $/Stück
DMP2160UWQ-7
STP240N10F7
HUF76437P3
SUP85N10-10-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.