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2SK3666-3-TB-E

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onsemi

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

nicht konform

2SK3666-3-TB-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09614 -
6,000 $0.08653 -
15,000 $0.07691 -
30,000 $0.07211 -
75,000 $0.06393 -
150,000 $0.06153 -
1133030 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Spannung - Durchschlag (v(br)gss) -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Abfluss (idss) @ vds (vgs=0) 1.2 mA @ 10 V
Stromaufnahme (id) - max 10 mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ ID 180 mV @ 1 µA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4pF @ 10V
Widerstand - rds(on) 200 Ohms
Leistung - max. 200 mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SMCP
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Zugehörige Teilenummer

2SK3796-3-TL-E
2SK3796-3-TL-E
$0 $/Stück
2N5639G
2N5639G
$0 $/Stück
MMBF4393LT3G
MMBF4393LT3G
$0 $/Stück
SMMBF4393LT1G
SMMBF4393LT1G
$0 $/Stück
PN4093
NTE469
NTE469
$0 $/Stück
2N5460
2N5460
$0 $/Stück

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