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BS170-D75Z

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

BS170-D75Z Technisches Datenblatt

compliant

BS170-D75Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.12255 -
6,000 $0.11603 -
10,000 $0.10626 -
50,000 $0.08998 -
100,000 $0.08868 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 500mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 40 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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Zugehörige Teilenummer

ECH8309-TL-H
ECH8309-TL-H
$0 $/Stück
FDS8880
FDS8880
$0 $/Stück
RRL035P03TR
NVMTS0D4N04CTXG
NVMTS0D4N04CTXG
$0 $/Stück
SI7192DP-T1-GE3
STF5N95K3
STF5N95K3
$0 $/Stück
SIRA62DP-T1-RE3
PMN48XPA2X
PMN48XPA2X
$0 $/Stück
NTH4L080N120SC1
NTH4L080N120SC1
$0 $/Stück

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