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ECH8601M-TL-H-P

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onsemi

MOSFET 2N-CH

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ECH8601M-TL-H-P Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 24V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 8-ECH
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