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EFC6602R-TR

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onsemi

MOSFET 2N-CH EFCP

EFC6602R-TR Technisches Datenblatt

nicht konform

EFC6602R-TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-XFBGA, FCBGA
Lieferantengerätepaket EFCP2718-6CE-020
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Zugehörige Teilenummer

IRF7341PBF
SI4804CDY-T1-E3
SI4834BDY-T1-GE3
DMP22D5UDJ
NTZD3154NT1H
NTZD3154NT1H
$0 $/Stück
CSD75211W1723
SI5904DC-T1-GE3
DMP3098LSD-13
SI3586DV-T1-E3

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