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FCH165N60E

FCH165N60E

FCH165N60E

onsemi

MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3

FCH165N60E Technisches Datenblatt

compliant

FCH165N60E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.06000 $4.06
10 $3.63200 $36.32
450 $2.71787 $1223.0415
900 $2.22547 $2002.923
1,350 $2.08477 -
868 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 165mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2434 pF @ 380 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMT15H067SSS-13
NVMFS5C673NT1G
NVMFS5C673NT1G
$0 $/Stück
ZXMN2A03E6TA
FCPF16N60
FCPF16N60
$0 $/Stück
BSH108,215
BSH108,215
$0 $/Stück
SUD50N04-8M8P-4GE3

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