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FCP067N65S3

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onsemi

MOSFET N-CH 650V 44A TO220

FCP067N65S3 Technisches Datenblatt

nicht konform

FCP067N65S3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.67000 $5.67
10 $5.08200 $50.82
100 $4.19590 $419.59
500 $3.42830 $1714.15
1,000 $2.91656 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 67mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4.4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3090 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 312W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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