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FCP16N60

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3

FCP16N60 Technisches Datenblatt

nicht konform

FCP16N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.41000 $3.41
10 $3.04200 $30.42
100 $2.49400 $249.4
500 $2.01956 $1009.78
1,000 $1.70324 -
2998 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 260mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFA16N50P
IXFA16N50P
$0 $/Stück
GPI65030DFN
GPI65030DFN
$0 $/Stück
FGD3050G2
FGD3050G2
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R5011FNJTL
R5011FNJTL
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IRF6726MTRPBF

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