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FCPF190N60E

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F

FCPF190N60E Technisches Datenblatt

nicht konform

FCPF190N60E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.11000 $3.11
10 $2.82100 $28.21
100 $2.28240 $228.24
500 $1.79294 $896.47
1,000 $1.49931 -
493 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3175 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

BTS132
BTS132
$0 $/Stück
RSQ020N03HZGTR
MCU80N06A-TP
NTTFS6H860NLTAG
NTTFS6H860NLTAG
$0 $/Stück
NDF06N60ZH
NDF06N60ZH
$0 $/Stück
FDS8874
STB55NF06LT4
AUIRFS4127TRL

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