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FCPF190N65FL1-F154

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onsemi

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3

nicht konform

FCPF190N65FL1-F154 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.96673 $1.96673
500 $1.9470627 $973.53135
1000 $1.9273954 $1927.3954
1500 $1.9077281 $2861.59215
2000 $1.8880608 $3776.1216
2500 $1.8683935 $4670.98375
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3055 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

APT1001RBVRG
DMTH8012LK3Q-13
DMP10H400SEQ-13
IXFR32N100P
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$0 $/Stück
SI1499DH-T1-BE3
NTMFS4C032NT1G
NTMFS4C032NT1G
$0 $/Stück
PSMN1R7-25YLDX

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