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FCPF650N80Z

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

FCPF650N80Z Technisches Datenblatt

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FCPF650N80Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.09862 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 800µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1565 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PMK50XP,518
DMP3099L-13
IRF8788TRPBF
IXTA26P20P
IXTA26P20P
$0 $/Stück
APT22F100J
US5U2TR
US5U2TR
$0 $/Stück
NTR3C21NZT3G
NTR3C21NZT3G
$0 $/Stück
MIC94050YM4-TR

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