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FCU850N80Z

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

FCU850N80Z Technisches Datenblatt

compliant

FCU850N80Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.80000 $1.8
10 $1.59900 $15.99
100 $1.27270 $127.27
500 $0.99628 $498.14
1,000 $0.79518 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1315 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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