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FDA032N08

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onsemi

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

FDA032N08 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDA032N08 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.39000 $5.39
10 $4.81600 $48.16
450 $3.56369 $1603.6605
900 $2.88948 $2600.532
1,350 $2.69684 -
337 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15160 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3PN
Paket / Koffer TO-3P-3, SC-65-3
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Zugehörige Teilenummer

FCPF125N65S3
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$0 $/Stück
C3M0065100J
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BUZ11-NR4941
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IXFQ24N60X
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FCPF380N65FL1-F154
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IXTA1R4N100PTRL
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