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FDA18N50

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onsemi

MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN

FDA18N50 Technisches Datenblatt

compliant

FDA18N50 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.22000 $3.22
10 $2.90400 $29.04
450 $2.07460 $933.57
900 $1.63893 $1475.037
1,350 $1.50408 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 265mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2860 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 239W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3PN
Paket / Koffer TO-3P-3, SC-65-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFA4N100P
IXFA4N100P
$0 $/Stück
EFC4612R-TR
EFC4612R-TR
$0 $/Stück
APT12057B2FLLG
FDB6035AL
SI7336ADP-T1-E3

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