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FDB016N04AL7

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

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FDB016N04AL7 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 160A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 167 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 283W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-7
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

STD4N90K5
STD4N90K5
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RM13P40S8
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NTD5862NT4G
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RS3E180ATTB1
FQB8N60CFTM
SIHH24N65EF-T1-GE3
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SI2301-TP
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