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FDB024N06

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

FDB024N06 Technisches Datenblatt

compliant

FDB024N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $3.05318 $2442.544
1,600 $2.86016 -
2,400 $2.72505 -
13 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 226 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14885 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 395W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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