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FDB060AN08A0

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onsemi

MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK

nicht konform

FDB060AN08A0 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $2.04103 $1632.824
1,600 $1.91199 -
2,400 $1.82167 -
5,600 $1.75715 -
800 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 255W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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