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FDB14N30TM

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

FDB14N30TM Technisches Datenblatt

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FDB14N30TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.81833 $654.664
1,600 $0.74315 -
2,400 $0.69617 -
5,600 $0.66329 -
3531 items
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1060 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STP36NF06L
STP36NF06L
$0 $/Stück
FDP5N50NZ
FDP5N50NZ
$0 $/Stück
RJ1U330AAFRGTL
HUF75345P3
HUF75345P3
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NDF08N50ZG
NDF08N50ZG
$0 $/Stück
IPD65R660CFD
MCU80N06-TP

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