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FDB2552

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

FDB2552 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDB2552 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.39641 $1117.128
1,600 $1.28717 -
2,400 $1.20314 -
5,600 $1.16113 -
640 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTD4906NA-35G
NTD4906NA-35G
$0 $/Stück
EKI07117
EKI07117
$0 $/Stück
EPC2207
EPC2207
$0 $/Stück
SQP10250E_GE3
ZVN4306A
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$0 $/Stück
NTD6416ANLT4G
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