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FDB8444

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

FDB8444 Technisches Datenblatt

compliant

FDB8444 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.43000 $2.43
500 $2.4057 $1202.85
1000 $2.3814 $2381.4
1500 $2.3571 $3535.65
2000 $2.3328 $4665.6
2500 $2.3085 $5771.25
525 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 128 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8035 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIA466EDJ-T1-GE3
NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G
$0 $/Stück
FDD8870
FDD8870
$0 $/Stück
IXTP24P085T
IXTP24P085T
$0 $/Stück
BUK7M17-80EX
R8006KND3TL1
IRFU130ATU

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