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FDC6305N

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

FDC6305N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDC6305N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17647 -
6,000 $0.16508 -
15,000 $0.15370 -
30,000 $0.14573 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.7A
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 310pF @ 10V
Leistung - max. 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
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Zugehörige Teilenummer

DMC1030UFDB-13
IRF7303TRPBF
NTMD6P02R2SG
NTMD6P02R2SG
$0 $/Stück
SI7216DN-T1-E3
BUK9K89-100E,115
SQJ914EP-T1_GE3
NTMFD5C650NLT1G
NTMFD5C650NLT1G
$0 $/Stück

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