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FDC6333C-G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

FDC6333C-G Technisches Datenblatt

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FDC6333C-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Ta), 2A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V, 130mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.6nC @ 10V, 5.7nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 282pF @ 15V, 185pF @ 15V
Leistung - max. 700mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
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