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FDC637AN

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

FDC637AN Technisches Datenblatt

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FDC637AN Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.26142 -
6,000 $0.24339 -
15,000 $0.23438 -
30,000 $0.22946 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1125 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

NDP7050L
IRLR3105TRPBF
CSD18542KTT
CSD18542KTT
$0 $/Stück
STF21NM60ND
IRLI530GPBF
IRLI530GPBF
$0 $/Stück
DMN2053UW-7
SI7820DN-T1-GE3
IXTT220N20X4HV
IXTT220N20X4HV
$0 $/Stück

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