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FDC8601

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6

FDC8601 Technisches Datenblatt

compliant

FDC8601 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.50050 -
6,000 $0.47548 -
15,000 $0.45760 -
11970 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 109mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 210 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

STW20NM50FD
RQ5L035GNTCL
DMN3007LSSQ-13
FQAF17P10
SQM30010EL_GE3
NTBLS1D5N08MC
NTBLS1D5N08MC
$0 $/Stück
SI7633DP-T1-GE3
NTD6600N-1G
NTD6600N-1G
$0 $/Stück
BSO051N03MS G

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