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FDC8886

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

FDC8886 Technisches Datenblatt

compliant

FDC8886 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17050 -
6,000 $0.15950 -
15,000 $0.14850 -
30,000 $0.14080 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 465 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

PHT6N06T,135
PHT6N06T,135
$0 $/Stück
IXKK85N60C
IXKK85N60C
$0 $/Stück
FQP2N50
BUK7Y3R5-40HX
NTBV45N06T4G
NTBV45N06T4G
$0 $/Stück
DMG2301U-7
NTLJS4159NT1G
NTLJS4159NT1G
$0 $/Stück

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