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FDD3510H

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onsemi

MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252

FDD3510H Technisches Datenblatt

compliant

FDD3510H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.53529 -
5,000 $0.51001 -
12,500 $0.49194 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.3A, 2.8A
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800pF @ 40V
Leistung - max. 1.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK)
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Zugehörige Teilenummer

NX1029X,115
NX1029X,115
$0 $/Stück
DMN2300UFL4-7
SLA5201
SLA5201
$0 $/Stück
MPIC2112P
MPIC2112P
$0 $/Stück
NVMFD5873NLT1G
NVMFD5873NLT1G
$0 $/Stück
UC2705D/81278
UC2705D/81278
$0 $/Stück
DMN2036UCB4-7
SQJB70EP-T1_GE3

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