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FDD5N50NZFTM

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onsemi

MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK

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FDD5N50NZFTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.41467 -
5,000 $0.39508 -
12,500 $0.38109 -
25,000 $0.37906 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.75Ohm @ 1.85A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 485 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

BUK7S1R0-40HJ
DMTH3002LK3-13
IPF05N03LAG
BSH205G2VL
BSH205G2VL
$0 $/Stück
NTMFS4955NT3G
NTMFS4955NT3G
$0 $/Stück
MMSF2P02ER2
MMSF2P02ER2
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