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FDD770N15A

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onsemi

MOSFET N CH 150V 18A DPAK

FDD770N15A Technisches Datenblatt

compliant

FDD770N15A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.40440 -
5,000 $0.37800 -
12,500 $0.36480 -
25,000 $0.35760 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 77mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 765 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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