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FDG6303N_G

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INTEGRATED CIRCUIT

FDG6303N_G Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG6303N_G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 500mA
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50pF @ 10V
Leistung - max. 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
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Zugehörige Teilenummer

IPP60R380E6
FDG6321C-F169
FDG6321C-F169
$0 $/Stück
AUIRF7316Q
SP8M21FRATB
SI7925DN-T1-GE3
BUK6209-30C-NEX
FW812-TL-E
FW812-TL-E
$0 $/Stück
NTMFD4C88NT3G
NTMFD4C88NT3G
$0 $/Stück
SI4920DY-T1-GE3

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