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FDG6306P

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onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

FDG6306P Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG6306P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.15737 -
6,000 $0.14722 -
15,000 $0.13707 -
30,000 $0.12996 -
75,000 $0.12922 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 600mA
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 114pF @ 10V
Leistung - max. 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
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Zugehörige Teilenummer

BSM080D12P2C008
DMN26D0UDJ-7
SI4900DY-T1-GE3
FDMB3900AN
FDMB3900AN
$0 $/Stück
DMN61D8LVT-7
SI6955DQ
PMPB215ENEA/F,115
FDS8958A
FDS8958A
$0 $/Stück
DMP2100UFU-13

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