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FDG8842CZ

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onsemi

MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6

FDG8842CZ Technisches Datenblatt

compliant

FDG8842CZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.18994 -
6,000 $0.17768 -
15,000 $0.16543 -
30,000 $0.15685 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V, 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 750mA, 410mA
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.44nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 120pF @ 10V
Leistung - max. 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
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Zugehörige Teilenummer

SI4925BDY-T1-GE3
DMN63D8LDW-13
NDS9945
NDS9945
$0 $/Stück
DMN2053UVT-13
SSD2007ATF
DMG6302UDW-13
DMN1029UFDB-13
ZXMN2A04DN8TA

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