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FDI030N06

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

FDI030N06 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDI030N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.50000 $5.5
10 $4.90900 $49.09
100 $4.02520 $402.52
500 $3.25942 $1629.71
1,000 $2.74890 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 151 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9815 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 231W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

PXP015-30QLJ
SIHF15N65E-GE3
STP4LN80K5
STP4LN80K5
$0 $/Stück
IXFN280N085
IXFN280N085
$0 $/Stück
EKI10126
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$0 $/Stück
C3M0021120D
C3M0021120D
$0 $/Stück

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