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FDMD85100

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onsemi

MOSFET 2N-CH 100V

FDMD85100 Technisches Datenblatt

compliant

FDMD85100 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.55912 -
6,000 $1.50051 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.4A
rds ein (max) @ id, vgs 9.9mOhm @ 10.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2230pF @ 50V
Leistung - max. 2.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket Power56
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Zugehörige Teilenummer

ZXMC4559DN8TC
SI7218DN-T1-GE3
SI4923DY-T1-E3
PMWD16UN,518
PMWD16UN,518
$0 $/Stück
NTHD3100CT3G
NTHD3100CT3G
$0 $/Stück
IRF7304PBF
DMN5L06DW-7
SP8K5FU6TB
SP8K5FU6TB
$0 $/Stück
VEC2616-TL-W-Z
VEC2616-TL-W-Z
$0 $/Stück

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