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FDMD86100

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MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6

FDMD86100 Technisches Datenblatt

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FDMD86100 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.54098 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A
rds ein (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2060pF @ 50V
Leistung - max. 2.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-Power 5x6
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Zugehörige Teilenummer

CSD87381P
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ISL6594ACRZ-TR5212
ISL6594ACRZ-TR5212
$0 $/Stück
CAB016M12FM3
CAB016M12FM3
$0 $/Stück
SI5935CDC-T1-E3
SIL2301-TP
CSD87355Q5D
CSD87355Q5D
$0 $/Stück
SI4946CDY-T1-GE3
SLA5059
SLA5059
$0 $/Stück
IRF7104TRPBF

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