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FDMJ1032C

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onsemi

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

FDMJ1032C Technisches Datenblatt

nicht konform

FDMJ1032C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.2A, 2.5A
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 270pF @ 10V
Leistung - max. 800mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket SC-75, MicroFET
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Zugehörige Teilenummer

PMWD15UN,518
PMWD15UN,518
$0 $/Stück
IRF7313QTRPBF
AUIRF7303Q
FDG6332C-F085P
FDG6332C-F085P
$0 $/Stück
FDC6304P
IRF7754TR

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