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FDMS86101DC

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56

FDMS86101DC Technisches Datenblatt

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FDMS86101DC Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.74931 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3135 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

RD3P050SNTL1
APT1201R5BVFRG
DMTH4005SCT
DMN2013UFDE-7
SI4456DY-T1-E3
RUR020N02TL
EPC2204
EPC2204
$0 $/Stück
2N7002BK,215
IXTU01N100
IXTU01N100
$0 $/Stück
IXFX32N80Q3
IXFX32N80Q3
$0 $/Stück

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