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FDMS86181

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MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN

FDMS86181 Technisches Datenblatt

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FDMS86181 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.45278 -
6,000 $1.39897 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Ta), 124A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4125 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI4630DY-T1-E3
SCH1433-TL-H
SCH1433-TL-H
$0 $/Stück
IRFB7730PBF
DMN3053L-13
RRS075P03FRATB
SUM110P06-08L-E3
IXTR170P10P
IXTR170P10P
$0 $/Stück
SI7655DN-T1-GE3

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