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FDMS86200DC

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56

FDMS86200DC Technisches Datenblatt

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FDMS86200DC Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.74097 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2955 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

STF22N60DM6
NTMYS2D2N06CLTWG
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$0 $/Stück
SQS420EN-T1_GE3
R6520ENJTL
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$0 $/Stück
IRF9620SPBF
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IXTH15N50L2
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BUK9Y59-60E,115
STF22NM60N
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