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FDMS86202ET120

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onsemi

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

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FDMS86202ET120 Preise und Bestellung

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3,000 $2.17548 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 120 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4585 pF @ 60 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDB035AN06A0
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FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM
$0 $/Stück
FQD4N25TM
AUIRF7665S2TR
RXL035N03TCR
CSD17382F4T
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$0 $/Stück
IRF9530PBF
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2N7002BKW,115
NTP75N03RG
NTP75N03RG
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