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FDMS8622

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN

FDMS8622 Technisches Datenblatt

compliant

FDMS8622 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.40440 -
6,000 $0.37800 -
15,000 $0.36480 -
2300 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 56mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

PSMN004-60B,118
MMSF3P02HDR2SG
MMSF3P02HDR2SG
$0 $/Stück
DMP56D0UFB-7B
FDB0250N807L
FDB0250N807L
$0 $/Stück
R5016FNX
R5016FNX
$0 $/Stück
PSMN7R0-30YL,115
RT1A040ZPTR

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