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FDN335N

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3

FDN335N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDN335N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.12524 -
6,000 $0.11765 -
15,000 $0.11006 -
30,000 $0.10095 -
75,000 $0.09715 -
425 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 310 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FDC610PZ
FDC610PZ
$0 $/Stück
ZXMN6A25KTC
BUK9M12-60EX
IXTP6N50D2
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$0 $/Stück
FDN359BN
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$0 $/Stück
SIR516DP-T1-RE3

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