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FDN537N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3

FDN537N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDN537N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20460 -
6,000 $0.19140 -
15,000 $0.17820 -
30,000 $0.16896 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 465 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

APT38M50J
STP13N60M2
STP13N60M2
$0 $/Stück
NTHL020N120SC1
NTHL020N120SC1
$0 $/Stück
HUF75542P3
HUF75542P3
$0 $/Stück
STB11NK50ZT4
VN10LFTA
VN10LFTA
$0 $/Stück

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