Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDN86246

FDN86246

FDN86246

onsemi

MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3

FDN86246 Technisches Datenblatt

compliant

FDN86246 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.40040 -
6,000 $0.38038 -
15,000 $0.36608 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 261mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 225 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.